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Feature Profile Evolution During Etching of SiO2 in Radio-Frequency or Direct-Current Plasmas
Feature Profile Evolution During Etching of SiO2 in Radio-Frequency or Direct-Current Plasmas
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摘要：
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Rare earth element chemistry indicates chemical alteration of zircons during the evolution of weathe
Weathering profile
Rare earth elements
Zircon
SiO2/SiO2复合材料高温介电性能演变规律及温度特性研究
透波材料
有效媒质理论
介电系数
介电损耗
SiO2颗粒尺寸对Al与SiO2反应动力学的影响
Al-SiO2反应
颗粒尺寸
反应动力学
纳米SiO2复合材料研究进展
SiO2
复合材料
制备
研究
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Feature Profile Evolution During Etching of SiO2 in Radio-Frequency or Direct-Current Plasmas | ||
| 来源期刊 | 等离子体科学和技术：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 等离子体刻蚀 二氧化硅材料 无线电频率 功能简介 直流 演变 演化模式 SiO2 | ||
| 年，卷（期） | 2012,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 64-70 | |
| 页数 | 分类号 | TN405.982|TQ127.2 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
等离子体刻蚀
二氧化硅材料
无线电频率
功能简介
直流
演变
演化模式
SiO2
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
等离子体科学和技术(英文版)
主办单位：
中国科学院合肥物质科学研究所
中国力学学会
出版周期：
月刊
ISSN：
1009-0630
CN：
34-1187/TL
开本：
大16开
出版地：
合肥 中国科学院等离子体物理研究所PST编辑部
邮发代号：
创刊时间：
1999
语种：
eng
出版文献量（篇）
3310
总下载数（次）
0
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