低温生成碳纳米管得突破

• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 互补金属氧化物半导体 低温 生长温度 科研人员 集成电路 技术 衬底
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 行业信息
• 页码范围: 34-34
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

英国UnirersityofSurrey，Guildford的科研人员发现一种在多种衬底上生长优质碳纳米管的技术，生长温度低于350℃，类似于一种制造集成电路的互补金属氧化物半导体（complementarymetaloxidesemiconductor）技术，