氧化铜陶瓷的高介电性

• 作者: 周锋子 朱卫利 李立本 王会娴 王晓飞
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CuO陶瓷 半导体 颗粒间界阻挡层模型 激活能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 97-100
• 分类号: TB333.13
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6871.2012.02.023

摘要

采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系.通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒.假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王会娴	河南科技大学物理与工程学院	9	18	3.0	4.0
2	李立本	河南科技大学物理与工程学院	59	111	6.0	8.0
3	朱卫利	河南科技大学物理与工程学院	4	3	1.0	1.0
4	王晓飞	河南科技大学物理与工程学院	17	11	2.0	2.0
5	周锋子	河南科技大学物理与工程学院	6	7	1.0	2.0