电化学机械平坦化抛光垫混合软弹流润滑行为数值研究

• 作者: 周平 康仁科 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 机械工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学机械平坦化 弹流润滑 粗糙表面
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 制造工艺与装备
• 页码范围: 180-185
• 分类号: TN305|TH117
• 字数: 3746字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3901/JME.2012.07.180

摘要

电化学机械平坦化(Electrochemical mechanical planarization,ECMP)技术被认为是最具发展潜力的低强度Cu/low-k表面低压力平坦化技术之一,抛光液流动和接触压力的分布是影响ECMP效率和精度的决定性因素.采用混合软弹流润滑模型研究带导电孔ECMP抛光垫表面的流动与接触行为.分析结果表明,对于所研究的抛光垫和晶圆位置关系,尽管宏观平均接触压力为6.895 kPa,但是真正影响Cu/low-k结构完整性的局部接触压力达到了近70 kPa.此外,导电孔的存在并不影响抛光液压力和接触压力的分布趋势,对晶圆的姿态影响也较小.因此,为了提高加ECMP加工效率和面型精度,一方面需要研究导电孔分布方式控制电化学反应速率,另一方面需要改进其他诸如抛光垫和抛光头的设计,提高接触压力的均匀性.所提出的关于ECMP抛光垫混合软弹流润滑行为研究方法和结论对ECMP技术的进一步发展具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	周平	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	38	260	9.0	15.0