Nb/A1- AlOx/Nb隧道结的制备研究

• 作者: 卢亚鹏 吴培亨 康琳 曹春海 李梦月 肖伟 许伟伟 许钦印 陈健
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 物理学
• 关键词: Nb/A1 - AlOx/Nb 隧道结 制备工艺
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 本期头条
• 页码范围: 1-3
• 分类号: O511.4
• 字数: 1272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2012.06.001

摘要

通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1 AlOx/Nb隧道结.采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀.使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许伟伟	南京大学超导电子研究所	69	148	6.0	9.0
2	吴培亨	南京大学超导电子研究所	93	237	8.0	12.0
3	康琳	南京大学超导电子研究所	57	212	8.0	12.0
4	陈健	南京大学超导电子研究所	73	202	7.0	11.0
5	曹春海	南京大学超导电子研究所	15	10	2.0	3.0
6	肖伟	南京大学超导电子研究所	1	4	1.0	1.0
7	李梦月	南京大学超导电子研究所	5	9	2.0	3.0
8	许钦印	南京大学超导电子研究所	4	12	2.0	3.0
9	卢亚鹏	南京大学超导电子研究所	2	4	1.0	2.0