关于准一维ZnSe纳米结构的合成与应用

• 作者: 李方泽 王志
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 硒化锌 纳米结构 器件
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.13
• 字数: 666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.08.024

摘要

硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料，其禁带宽度为2．7eV，是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种，如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性，使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件，文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	5	8	2.0	2.0
2	李方泽	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	1	1.0	1.0