三维打印结合化学气相渗透制备Si3N4-SiC复相陶瓷

• 作者: 封立运 李向明 殷小玮
• 来源期刊: 航空制造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维打印 CVI Si3N4 SiC
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 62-65
• 分类号: TQ174.6
• 字数: 3240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-833X.2012.04.011

摘要

采用三维打印(3DP)技术成型Si3N4多孔陶瓷并结合化学气相渗透( CVI) SiC制备了Si3N4-SiC复相陶瓷.研究了烧结工艺对3DP Si3N4陶瓷线收缩率和孔隙率的影响.结果表明,3DP Si3N4坯体经热解除碳后再烧结,可以获得较小的线收缩率(＜6％)及较大的气孔率(77.5％).对其进行CVI SiC近尺寸强化,研究了Si3N4-SiC复相陶瓷的抗弯强度随SiC体积分数的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷小玮	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	36	173	8.0	10.0
2	李向明	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	3	16	3.0	3.0
3	封立运	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	1	8	1.0	1.0