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摘要:
从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案.阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势.根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析.结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形.分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要.
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文献信息
篇名 SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化
来源期刊 光学精密工程 学科 地球科学
关键词 硅光电倍增管(SiPM) 微等离子体 电子行为模型 三维测深仪 前置放大电路 最优设计
年,卷(期) 2012,(8) 所属期刊栏目 现代应用光学
研究方向 页码范围 1661-1668
页数 分类号 TN152|P733.33
字数 3438字 语种 中文
DOI 10.3788/OPE.20122008.1661
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐智勇 中国科学院光电技术研究所 57 441 12.0 17.0
2 张启衡 中国科学院光电技术研究所 92 1542 22.0 34.0
3 程华 中国科学院光电技术研究所 8 36 4.0 5.0
7 聂瑞杰 中国科学院光电技术研究所 2 14 2.0 2.0
11 王华闯 中国科学院光电技术研究所 10 47 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅光电倍增管(SiPM)
微等离子体
电子行为模型
三维测深仪
前置放大电路
最优设计
研究起点
研究来源
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期刊影响力
光学精密工程
月刊
1004-924X
22-1198/TH
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-166
1959
chi
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