非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程

• 作者: 余洲 刘连 张勇 张艳霞 晏传鹏 李莎莎 赵勇 闫勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 退火温度 射频磁控溅射 CIGS薄膜 相变历程
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 2902-2905,2911
• 页数: 5页
• 分类号: O782|TK514
• 字数: 2527字
• 语种: 中文

摘要

采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜，研究了不同的真空无硒退火温度（150～350。C）对CIGs薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外一可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明，室温下制备的CIGS薄膜为非晶态，随退火温度升高发生非晶CIGS→，CuSe→，CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低，光透过性能最差。退火温度超过200。C便生成CIGS相，C1GS相的结晶质量随退火温度升高而改善，薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。