频率调制强吸收光谱中残余幅度调制的理论分析

• 作者: 尹朝霞 张永智 张虎 王晓波 马维光
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 工学
• 关键词: 频率调制光谱 残余幅度调制 电光调制器 光谱线型
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1334-1338
• 分类号: O433.1|TN247
• 字数: 3684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2012)05-1334-05

摘要

由电光调制器( EOM)中双折射效应及线偏光不完全沿EOM调制方向诱发的残余幅度调制(RAM)使频率调制(FM)光谱技术在微量气体检测中的应用受到极大的限制.基于光场与晶体相互作用及光学干涉原理推导出存在RAM时FM光谱的线型表达式,确定出输入线偏光角度、EOM中双折射效应、FM系数等是影响线型的主要因素,且当入射EOM光的偏振角度偏离调制方向越大,双折射效应引起的特征偏振方向相位差越大,线型扭曲越严重；同时在FM色散光谱中存在一个受两者影响的直流偏置；最后给出通过伺服控制这两过程可以达到抑制RAM的目的.这些现象及线型的分析将为基于光纤器件的FM光谱提供必要的理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马维光	山西大学激光光谱实验室	21	106	5.0	10.0
2	王晓波	山西大学激光光谱实验室	10	27	4.0	4.0
3	张虎	山西大学计算机与信息技术学院	33	139	8.0	11.0
4	张永智	山西大学激光光谱实验室	3	5	1.0	2.0
5	尹朝霞		1	5	1.0	1.0