基于65nmSRAM灵敏放大器新型失调减小技术的研究

• 作者: 余群龄 周燕 张蓉 李正平
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 灵敏放大器 失调 SRAM 标准偏差
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 2432-2434
• 页数: 3页
• 分类号: TP391

摘要

失调电压是灵敏放大器的一个最重要的参数,其不仅影响灵敏放大器本身的性能,而且对整个SRAM的速度、功耗以及良率等都有着重要影响。鉴于失调电压的重要性,该文提出了一种新型失调电压减小技术。该技术不需要改变灵敏放大器本身的结构及尺寸,只需要通过降低其使能信号的幅值。通过蒙特卡罗仿真结果验证,当使能信号电压值降低到0.6V时,两种常用结构灵敏放大器失调电压减小幅度分别达到31.23%和25.17%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李正平	安徽大学电子信息工程学院	28	171	7.0	12.0
2	周燕	安徽大学电子信息工程学院	19	88	6.0	9.0
3	张蓉	安徽大学电子信息工程学院	7	5	2.0	2.0
4	余群龄	安徽大学电子信息工程学院	2	2	1.0	1.0