GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离

• 作者: 张东亮 张广泽 成步文 王启明 苏少坚 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GeSn合金 晶格常数 Vegard定律 弯曲系数
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 384-388
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在Si （001）衬底上, 以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层, 先后生长Sn组分x分别为2.5%, 5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge1-xSnx合金薄膜. 在Si （001）衬底上直接生长了X分别为0.005, 0.016, 0.044, 0.070和0.155的五个弛豫Ge1-xSnx样品. 通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge1-xSnx合金的组分 与晶格常数. 实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离, 弯曲系数b=0.211 A^°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	77	6.0	7.0
4	张东亮	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	6	107	5.0	6.0
5	张广泽	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	15	2.0	3.0
6	苏少坚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	8	1.0	2.0