Incoloy 800合金晶界工程工艺优化研究

• 作者: 周志江 张磊 李钧 肖学山 苏诚 邵羽
• 来源期刊: 上海金属
• 关键词: Incoloy 800合金 晶界工程 低∑CSL晶界 工艺 优化
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 材料组织与性能
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 字数: 2609字
• 语种: 中文

摘要

运用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了退火时间和冷轧变形量对Incoloy 800合金晶界特征分布的影响.结果显示,随着退火时间的延长,总的低∑CSL (coincidence site lattice,∑≤29)晶界比例在60％～70％范围内缓慢增长,∑1晶界比例随∑3晶界比例上升而下降.随着变形量的增加,总的低∑CSL晶界、∑3晶界、∑9晶界和∑27晶界比例均呈现先增加后降低的趋势,而∑1晶界相反,出现先降低后增加的趋势.优化的Incoloy 800合金晶界工程工艺为:在980℃固溶处理15 min,冷轧5％后在980℃退火15 min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖学山	上海大学材料研究所	42	258	9.0	13.0
2	周志江		23	135	8.0	10.0
3	张磊	上海大学材料研究所	32	158	9.0	11.0
4	苏诚		10	26	4.0	4.0
5	李钧	上海大学材料研究所	14	52	4.0	5.0
7	邵羽		13	42	4.0	5.0