CVD-SiC涂层的C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能

• 作者: 崔红 嵇阿琳 张玲 王玲玲 闫联生
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 关键词: C/C-SiC复合材料 SiC涂层 抗烧蚀性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 字数: 2771字
• 语种: 中文

摘要

采用CVD法,1 050℃在三维针刺C/C-SiC复合材料表面制备SiC涂层,研究稀释气体与载气流量比分别为4∶1和2∶1制备条件下涂层的晶体结构、表面和断面的微观形貌,对比了涂层前后C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能.结果表明:稀释气体流量降低其制备的SiC涂层更加平整致密,与基体结合程度更好,沉积产物均为单一的β-SiC结晶相.在600 s的氧化烧蚀下,两种流量比条件下制备CVD-SiC涂层的C/C-SiC复合材料的线烧蚀率比未涂层的分别降低34％和50％,质量烧蚀率分别降低70％和75％,抗氧化烧蚀性能明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔红		106	692	14.0	19.0
5	王玲玲		13	33	3.0	5.0
9	嵇阿琳		43	147	6.0	9.0
13	张玲		9	18	2.0	4.0