微纳技术及微纳机电系统(下)

• 作者: 鲍海飞
• 来源期刊: 现代物理知识
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 科技经纬
• 页码范围: 41-52
• 页数: 12页
• 语种: 中文

摘要

3.2 微纳机电系统 (1)压力传感器与加速度传感器 几乎在集成电路起步发展的同时,在1950年,巴丁(John Bardeen)和肖克利(W.Shockley)预言了单晶半导体在外力作用下形变,并会有相当大的电导变化.1954年,来自美国凯斯西储大学(Case Western Reserve University)的史密斯(C.S.Smith)到贝尔实验室进行访问工作,报道了“掺杂硅和锗中,在剪切应力作用下具有相当大的压阻剪切系数”,由此,标志着在微尺度上硅的传感性能研究的开始,如应变计、压力传感器、加速度计、力/位移传感器等.伴随着硅中应变特性的研究,人们发现半导体中压阻效应,即掺杂的半导体受到应力作用时其电阻要发生变化,其灵敏度是金属的几十倍,由此可以用做应变计来检测物体的形变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍海飞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	21	31	3.0	5.0