TSV硅衬底CMP后表面微粗糙度分析与优化

• 作者: 刘玉岭 孙鸣 张宏远 杨昊鹍 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔(TSV) 抛光液 活性剂 抛光速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 523-527
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.009

摘要

为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析.采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验.实验结果表明,抛光液组分中活性剂体积分数对CMP过程中硅衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著.优化抛光液组分配比条件下,CMP后硅衬底表面微粗糙度可有效降到0.272 nm(10 μm×10 μm),去除速率仍可达到0.538 μm/min.将优化后的抛光液与生产线上普遍采用的某国际商用抛光液进行对比,在抛光速率基本一致的条件下,粗糙度有效降低50％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	张宏远	河北工业大学微电子研究所	5	15	2.0	3.0
5	杨昊鹍	河北工业大学微电子研究所	5	20	3.0	4.0