8Transistors SRAM稳定性分析与验证

• 作者: 丁艳 刘章发
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 静态存储器 稳定性 预充电 噪声容限 写容限 读电流
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN453
• 字数: 4136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2013.02.001

摘要

针对8transistors (8T)静态随机存储器(SRAM)存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素.为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案.在SMIC 40nm工艺条件下,验证了该技术方案,实现了预期的目标,其中稳定性大约提升10％左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘章发	北京交通大学电子信息工程学院	19	67	5.0	7.0
2	丁艳	北京交通大学电子信息工程学院	3	7	2.0	2.0