Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用

• 作者: 周平伟 常洪龙 杨勇 袁广民 谢中建 谢建兵
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 191-194
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 1894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2013.02.010

摘要

深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛.在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应.通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应加工出以悬空硅作为敏感单元的风速仪,其响应时间常数和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistant)分别为1.08 μs和4738×10-6/℃.正如所描述的,对于特定的微机械应用,Notching效应可以转变为一种加工优势,提高了微加工过程中的变化性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨勇	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	12	31	3.0	5.0
2	常洪龙	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	25	112	6.0	10.0
3	周平伟	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	谢建兵	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	6	23	4.0	4.0
5	谢中建	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	袁广民	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	7	21	2.0	4.0