原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流Idsat和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的Idsat减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,Idsat减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的Idsat减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,Idsat减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.
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文献信息
篇名 LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 PDK LOD WPE 纳米工艺
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-5
页数 5页 分类号 TN40
字数 语种 中文
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节点文献
PDK
LOD
WPE
纳米工艺
研究起点
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
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