LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

• 作者: 周欢欢 尹明会 张卫华 王晨 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: PDK LOD WPE 纳米工艺
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN40
• 语种: 中文

摘要

本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流Idsat和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的Idsat减小4.25％而VTH增大2.79％;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,Idsat减小8.32％而VTH增大6.78％;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的Idsat减小9.03％而VTH增大12.5％;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,Idsat减小8.50％而VTH增大4.61％,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.