利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

• 作者: 田燕
• 来源期刊: 海南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 量子结构 极限效率 量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 基础理论与应用研究
• 页码范围: 156-160,188
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 5444字
• 语种: 中文

摘要

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％；势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田燕	宁夏大学物理电气信息学院	4	1	1.0	1.0