硅纳米电极超低电压场致电离特性研究

• 作者: 于江江 张健 郑小东 陈云
• 来源期刊: 华东师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米线 场致电离 击穿电压 湿法化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 电子科学与计算机科学
• 页码范围: 194-201
• 页数: 8页
• 分类号: O47
• 字数: 2544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2013.03.021

摘要

用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20 μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	华东师范大学电子工程系	88	357	8.0	15.0
2	陈云	华东师范大学电子工程系	32	119	7.0	10.0
4	郑小东	华东师范大学电子工程系	4	12	2.0	3.0
5	于江江	华东师范大学电子工程系	3	5	2.0	2.0