氧压浸出提纯冶金级硅过程中添加剂对除杂效果的影响

• 作者: 唐建文 宁哲 谢克强 马文会 麦毅
• 来源期刊: 昆明理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 冶金级硅 提纯 氧压浸出 添加剂
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 有色金属冶金科学与技术
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TF114
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-855x.2013.01.001

摘要

研究了氧压浸出提纯冶金级硅过程中添加剂(硫酸铵)及原料粒度对去除金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的影响.研究结果表明,添加剂硫酸铵的加入能够有效提高冶金硅中主要金属杂质的去除率,低压(无氧)条件下浸出,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除率比常压浸出分别高出4.6％、17.3％、16.6％及0.5％；氧压浸出又比低压(无氧)浸出的去除率分别高出22.2％、34.9％、19.5％及0.6％,且随着氧分压的升高,除Ti外Fe、Al、Ca的去除率明显提高；氧压条件下加入添加剂硫酸铵后,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除效果更为显著,分别达到85.1％、80.6％、95.4％和16.3％.硅粉粒径＜75 μm后对金属杂质的去除率的影响不明显.此外,对比浸出前后的SEM-EDS结果发现,常压浸出时硅中的Si-Fe-Ti杂质相难以去除,在氧压浸出并加入添加剂时,可部分去除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢克强	昆明理工大学冶金与能源工程学院	31	167	9.0	11.0
5	马文会	昆明理工大学冶金与能源工程学院	125	1141	17.0	29.0
9	麦毅	昆明理工大学冶金与能源工程学院	6	76	3.0	6.0
10	唐建文	昆明理工大学冶金与能源工程学院	3	14	2.0	3.0
11	宁哲	昆明理工大学冶金与能源工程学院	8	25	3.0	5.0