单光子计数型CCD的蒙特卡罗模拟

• 作者: 吴玉迟 姚泽恩 曹磊峰 洪伟 谷渝秋 赵宗清 闫永宏 魏来
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 CCD 蒙特卡罗 量子效率 多像素事件
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 探测器技术
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132501.0211

摘要

建立了适用于研究PI-LCX:1300型单光子计数型CCD量子效率及多像素事件的蒙特卡罗模拟模型,采用蒙特卡罗程序Geant4对0.5～30.0 keV能量区间的X射线在CCD芯片中的输运进行了模拟研究.研究了X射线在CCD芯片中的能量沉积谱,给出了CCD探测X射线的效率曲线,其结果与厂家提供的效率曲线一致.研究了Si片厚度对探测效率的影响,结果表明在有效探测范围内,Si片越厚探测效率越高,而对较高能量的X射线,此趋势不明显.研究了能量沉积分布在多个像素中的问题,结果表明周围像素中的能量沉积主要由中心像素的特征X射线及瑞利散射X射线所贡献,在5～30 keV之间X射线能量越高,能量沉积效率越低,多像素污染效果越弱.