采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器

• 作者: 张灿 朱洪亮 梁松 王圩 王宝军 韩良顺 黄永光
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 无杂质空位扩散(IFVD 量子阱混杂(QWI) 电吸收调制(EAM)分布反馈(DBF)激光器(EML)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 1451-1455
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在InGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO2薄膜,通过N2气氛下快速热退火(RTA)方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI).对不同退火温度下量子阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条件下,可以获得最大72.8 nm的相对波长蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长蓝移量随温度变化基本能控制在10 nm以内.通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50 nm的蓝移量,在选区制备出合适带隙波长材料的基础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收调制(EAM)分布反馈激光器(EML)工艺制备了1.5 μm波长的EML管芯,器件阈值为20 mA,出光功率达到2 mW@90 mA,静态消光比在+6 V反偏压下为9.5 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所	32	94	6.0	7.0
2	张灿	中国科学院半导体研究所	41	119	6.0	10.0
3	王圩	中国科学院半导体研究所	47	124	6.0	7.0
4	梁松	中国科学院半导体研究所	5	14	2.0	3.0
5	王宝军	中国科学院半导体研究所	27	315	8.0	17.0
6	韩良顺	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0
7	黄永光	中国科学院半导体研究所	3	0	0.0	0.0