氧化应激对脑缺血再灌注损伤后自噬调控机制

• 作者: 卞留贯 孙昱皓 孙青芳 戴敏超 汤耀辉 王文静
• 来源期刊: 中国微侵袭神经外科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血 再灌注损伤 自噬 氧化性应激
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 275-279
• 分类号: R743
• 语种: 中文
• DOI: 10.11850/j.issn.1009-122X.2013.06.015

摘要

目的 研究小鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后早期自噬的变化和活性氧调控自噬的作用机制.方法 线栓法制作小鼠短暂性大脑中动脉闭塞(tMCAO)模型56只,随机分成假手术组,对照组(仅建立tMCAO损伤)、tMCAO+N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)组和tMCAO+雷帕霉素组.Western blotting检测皮质和纹状体再灌注后不同时间点(再灌注后1、3、6、12、24 h)自噬相关蛋白LC3 Ⅰ、LC3Ⅱ和Beclin-1的表达.双氢溴乙啶染色检测细胞内活性氧水平及对自噬活性的影响,免疫荧光染色观察NAC或雷帕霉素诱导下的自噬变化.2,3,5-氯化三苯四氮唑染色观察脑梗死面积的变化.结果 与假手术组比较,缺血再灌注损伤后1 h Beclin-1开始升高,6 h LC3Ⅱ/LC3 Ⅰ表达上调.与对照组对比,NAC条件下LC3Ⅱ/LC3 Ⅰ和Beclin-1表达趋势明显升高.缺血再灌注损伤后1h活性氧开始升高,给予NAC后表达下降.在NAC和雷帕霉素干预下,梗死面积缩小.结论 小鼠局灶性脑缺血再灌注损伤后自噬表达上调,活性氧水平升高,抗氧化剂可能通过激活细胞的自噬途径保护神经细胞,减小脑梗死面积.