浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析

• 作者: 吴可 廖乃鏝 张故万 李仁豪 龙飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 光刻 浮胶 缺陷
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 554-559
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究.结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起.光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源.在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题.最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	张故万		5	6	1.0	2.0
3	吴可		4	1	1.0	1.0
4	龙飞		11	58	3.0	7.0
5	廖乃鏝		1	0	0.0	0.0