一氧化硅电致激发光谱理论研究

• 作者: 刘梦楠 刘雪平 吕文静 吴苗 孙金锋 徐国亮 朱正和 袁伟 郭雁 韩梦媛
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO 电致发光 激发态 含时密度泛函
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 原子、分子结构与光谱
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: O561.4
• 字数: 2842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.01.002

摘要

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory) TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.