基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应

• 作者: 丁桂英 姜文龙 汪津 贾萍
• 来源期刊: 吉林大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 电阻率变化率 电流变化率 电阻磁敏效应
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 836-840
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 2021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7964/jdxbgxb201303046

摘要

讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-x nm)/Alq3 (45 nm)/TAZ(x nm)/LiF(0.5 nm)/A1的器件的磁效应.在室温下研究了x分别取0、5、10、15 nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系.结果表明,x=0 nm时,在10 V电压下,电阻率变化率△ρ/ρ随磁场强度的增大而增大；当磁场强度B=110 mT时,△ρ/ρ达到最大,仅为8.22％.当x分别取5、10、15 nm时,△ρ/ρ为随磁场的增大而减小；在相同磁场强度下,x越大,△ρ/ρ越大；当B=110 mT,x=15 nm,电压为10V时,△ρ/ρ的数值达到最大,为-16.92％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜文龙	吉林师范大学信息技术学院	89	282	8.0	11.0
2	丁桂英	吉林师范大学信息技术学院	40	130	6.0	8.0
3	汪津	吉林师范大学信息技术学院	48	137	6.0	8.0
4	贾萍	吉林师范大学信息技术学院	2	0	0.0	0.0