Ga3S-2和Ga4S-3团簇结构及性质的密度泛函理论研究

• 作者: 尚玲玲 张士国 李大枝 董晨初
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Ga3S-2 Ga4S-3 结构 性质 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 103-108
• 页数: 6页
• 分类号: O641
• 字数: 2894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.01.016

摘要

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法和BP86方法,对Ga3S-2团簇和Ga4S-3团簇进行结构优化,并计算和分析了最稳定结构的成键性质及振动特性.计算结果表明,Ga3S-2团簇和Ga4S-3团簇的最稳定结构是由“Ga-S-Ga”结构单元和处于端位的“Ga-S”结构单元组成的.键级分析表明上述两结构单元都具有较强的稳定性.此外,通过分析红外振动光谱数据也发现在“Ga-S-Ga”单元和“Ga-S”单元处有红外强峰出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李大枝	滨州学院化学与化工系滨州市材料化学重点实验室	17	47	4.0	6.0
2	张士国	滨州学院化学与化工系滨州市材料化学重点实验室	19	111	4.0	10.0
3	董晨初	滨州学院化学与化工系滨州市材料化学重点实验室	10	30	3.0	5.0
4	尚玲玲	滨州学院化学与化工系滨州市材料化学重点实验室	1	1	1.0	1.0