采用石墨电极制备多孔硅工艺研究

• 作者: 庞骏敏 李进 梁森 王晓芳 薛子文 高忙忙
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨电极 多孔硅 轮廓均方根偏差 颗粒平均直径 电化学方法 碳原子剥离
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 1394-1396
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2266字
• 语种: 中文

摘要

采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65％(质量分数wt％,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构.实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590nm、489.954nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李进	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	40	206	7.0	13.0
2	高忙忙	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	21	37	4.0	4.0
3	梁森	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	17	35	4.0	5.0
4	庞骏敏	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	2	5	1.0	2.0
5	王晓芳	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	3	0	0.0	0.0
6	薛子文	宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室	3	7	2.0	2.0