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摘要:
基于n型硅在强电场下的热电子效应,初步研制了一种采用过模结构的0.14 THz高功率太赫兹脉冲探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10,n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.模拟分析了探测器的工作过程,给出了相对灵敏度表达式,结果表明过模探测器能很好地工作在TE10模式.合理设计了探测芯片的结构参数和加工工艺,完成了探测芯片的加工和探测器样机的制作.将探测器样机在0.14 THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了初步的验证性实验,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明:过模探测器样机的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12 kW-1,最大承受功率至少为数十W,可用于0.14 THz高功率脉冲的直接探测.
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关键词热度
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文献信息
篇名 过模结构0.14 THz高功率脉冲探测器研制
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 高功率太赫兹脉冲 过模 探测器 热电子
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目 太赫兹技术
研究方向 页码范围 2959-2964
页数 6页 分类号 TN129|O441.5|TN305
字数 3281字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20132511.2959
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王建国 123 908 14.0 23.0
5 陆希成 23 96 6.0 8.0
6 童长江 17 108 6.0 9.0
7 李爽 26 80 4.0 7.0
8 王雪锋 17 63 4.0 7.0
9 王光强 21 58 4.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
高功率太赫兹脉冲
过模
探测器
热电子
研究起点
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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