电势差与价电子能态关系研究

• 作者: 岳小萍 秦鑫
• 来源期刊: 新乡学院学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 电势差 能态 霍尔器件 绝缘体 半导体 导体
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 15-16
• 分类号: O482.4|O472+.4
• 字数: 2336字
• 语种: 中文

摘要

根据电相互作用原理,从微观角度分析了霍尔电势差,导体、绝缘体和半导体两端电势差产生的机理.认为在外电场的作用下价电子吸收外电场能量,并将其转化为晶格势场中的电势能,从而导致价电子在晶格势场中的电势降落(价电子远离原子核),因此,在霍尔元件上垂直于外电场方向上存在霍尔电势差,导体、绝缘体、半导体两端的电势差都是沿外电场方向所有价电子在晶格势场中的电势降落的总和.同时首次给出了空穴形成的物理图象:价电子由电负性弱的原子向电负性强的原子转移形成空穴.也首次给出了反映晶体各向异性的方法——测量非外电场方向绝缘体、半导体两点之间的电势差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦鑫	新乡医学院生命科学技术系物理教研室	36	82	5.0	7.0
2	岳小萍	新乡医学院生命科学技术系物理教研室	19	29	3.0	5.0