LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

• 作者: 亚历山大·博耶 吴建飞 李建成 沈荣骏 王宏义
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDO稳压器 电磁干扰(EMI) 敏感度 片上电压传感器 寄生元件 直接注入法(DPI
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 信息与通信工程·电子科学与技术
• 页码范围: 168-173
• 页数: 6页
• 分类号: TN320
• 字数: 3334字
• 语种: 中文

摘要

基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究.使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性.在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测.在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重.将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1 MHz至1GHz匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建成	国防科技大学电子科学与工程学院	19	157	7.0	12.0
2	吴建飞	国防科技大学电子科学与工程学院	4	24	3.0	4.0
3	沈荣骏	国防科技大学电子科学与工程学院	3	8	1.0	2.0
4	王宏义	国防科技大学电子科学与工程学院	4	18	2.0	4.0