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摘要:
设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源.由于目前LDO芯片的面积越来越小,所以在传统带隙基准电压源的基础上,对结构做了简化及改进,在简化设计的同时获得了高的性能.该带隙基准使用三极管作为运算放大器的输入,同时省去了多余的等效二极管,并将此结构应用于LDO结构中.对带隙基准的仿真结果表明,在5 V的电源下,产生25×10-6/℃温度系数的带隙基准电压.低频时电源抑制比为138dB.将该带隙基准结合缓冲器应用于LDO稳压器中,对LDO的仿真结果表明,负载特性良好,相位裕度为63.3度.线性负载率也符合要求.此电路简单可行,可适用于各种LDO芯片中.
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文献信息
篇名 一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 带隙基准电压源 低压差线性稳压器 CMOS 误差放大器
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 固体电路
研究方向 页码范围 1043-1047
页数 5页 分类号 TN453
字数 2882字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.013
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带隙基准电压源
低压差线性稳压器
CMOS
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研究起点
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电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
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