铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

• 作者: 孙丽媛 田亮 邹德恕 高志远
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 铟锡氧化物(ITO) 抗击穿能力 漏电
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 2289-2294
• 页数: 6页
• 分类号: TN253
• 语种: 中文

摘要

研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题.结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路.通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高了10％以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器件的漏电未受任何影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹德恕		58	270	10.0	12.0
2	孙丽媛		3	16	2.0	3.0
3	高志远		7	28	4.0	5.0
4	田亮		4	35	3.0	4.0