低温下二硫化钼电子迁移率研究

• 作者: 董海明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二硫化钼 迁移率 电输运 平衡方程
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 375-380
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.206101

摘要

二硫化钼(MoS2)是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一.单原子层厚的MoS2是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料，可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.本论文利用玻尔兹曼平衡方程输运理论研究低温时MoS2系统的电输运性质，计算得到了MoS2电子迁移率的解析表达式.研究发现，低温时MoS2的迁移率与衬底材料的介电常数的平方成正比；与系统的电子浓度对带电杂质的浓度的比率ne/ni成线性关系.因此，选用介电常数高的衬底材料，适当提高MoS2系统的载流子浓度，同时降低杂质的浓度，可以有效提高MoS2系统的迁移率.研究结果为探索以MoS2为基础的新型纳米光电器件的研究和实际应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董海明	中国矿业大学理学院物理系	6	19	2.0	4.0