用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

• 作者: 乔治 张雯 温迪 薛俊明 雷青松 高美伶
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 衬底温度 溅射功率 HIT太阳能电池
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 2002-2006,2012
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3769字
• 语种: 中文

摘要

采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3％的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04％的HIT太阳能电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊明		15	43	5.0	5.0
2	张雯	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	13	64	5.0	7.0
3	雷青松		9	35	4.0	5.0
4	乔治	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	4	16	2.0	4.0
5	温迪	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	1	7	1.0	1.0
6	高美伶		1	7	1.0	1.0