不同类型掺杂剂对AgCl微晶中光电子衰减特性影响

• 作者: 代秀红 傅广生 李晓苇 杨少鹏 董国义 韩理
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂 微波吸收介电谱 电子陷阱 光电子衰减
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1519-1523
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 语种: 中文

摘要

电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能.利用微波吸收介电谱检测技术,对30％Ag位置处掺杂不同浓度K4 [Ru(CN)6]和(NH4)2IrCl6的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子衰减时间(FDT,SDT)分辨谱进行了检测.结果表明,对于掺杂K4 [Ru(CN)6]的样品,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从157 ns延长至520 ns;且不同浓度掺杂时的FDT均大于未掺杂时的FDT(150 ns).而对于掺杂(NH4)2 IrCl6的情况,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从126 ns减小至45 ns;且不同浓度掺杂时的FDT均小于未掺杂时的FDT(150 ns).分析得知,K4[Ru(CN)6]掺杂在AgCl中引入了能暂时俘获光电子的浅电子陷阱(SETs);而(NH4)2IrCl6掺杂在AgCl中引入了能长时间俘获光电子的深电子陷阱(DETs).同时对光电子衰减动力学过程分析得知,陷阱的类型对光电子衰减寿命分区影响不同,SETs的引入使光电子衰减寿命曲线明显呈现两个指数衰减区,而DETs的引入使光电子衰减寿命曲线只呈现一个指数衰减区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓苇		136	473	10.0	13.0
2	韩理		39	204	8.0	11.0
3	杨少鹏		60	217	8.0	12.0
4	傅广生		184	817	13.0	17.0
5	董国义		58	363	11.0	16.0
6	代秀红		28	22	3.0	3.0