H桥结构的D类开关功率放大器损耗分析

• 作者: 赵志远 韩峰
• 来源期刊: 山西电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: H桥结构 D类放大器 功率晶体管 损耗
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 应用实践
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN717
• 字数: 1936字
• 语种: 中文

摘要

对H桥结构的D类开关功率放大器的损耗进行了分析,针对由功率晶体管非理想因素引起的四种电路损耗做了详细分析和阐述,包括传导损耗、开关损耗、电容损耗和直通损耗,对设计高效率放大器电路提供了参考.