电子倍增型GaAs光阴极实验研究

• 作者: 冯驰 周玉鉴 彭岔霞 徐晓兵 成伟 焦岗成 王书菲 胡仓陆 郭晖
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1549-1554
• 页数: 6页
• 分类号: TN21
• 字数: 3363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.08.015

摘要

电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件，通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件，研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能．对组件热清洗工艺前后的 I-V特性进行了对比测试，结果表明，该组件可以承受580℃的热清洗温度，并获得了12.6倍的电子增益；880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w ；暗电流密度≤6.79×10-5 mA/cm2．