负电子亲和势砷化镓光阴极热发射度测量

• 作者: 吴岱 张海旸 李凯 杨仁俊 潘清 王建新 肖德鑫
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 热发射度 砷化镓光阴极 高压直流电子枪 螺线管扫描法
• 年，卷（期）: 2015,（z2）
• 所属期刊栏目: 同步辐射光源及自由电子激光
• 页码范围: 643-647
• 页数: 5页
• 分类号: TL53|O462.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2015.49.S1.0643

摘要

作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一，负电子亲和势砷化镓（NEA‐GaAs）光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限，测量热发射度有利于确定注入器能否提供高亮度的电子束。本文理论计算了 NEA‐GaAs光阴极热发射度数值范围，并基于中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源（FEL‐T Hz ）装置，在28 fC的极低电荷量下，采用螺线管扫描法初步测量了NEA‐GaAs光阴极的热发射度。结果显示，NEA‐GaAs光阴极的热发射度为（0.603±0.002）μm／m m。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘清	中国工程物理研究院应用电子学研究所	6	20	3.0	4.0
2	吴岱	中国工程物理研究院应用电子学研究所	10	7	1.0	2.0
3	肖德鑫	中国工程物理研究院应用电子学研究所	11	15	2.0	3.0
4	李凯	中国工程物理研究院应用电子学研究所	14	36	3.0	5.0
5	王建新	中国工程物理研究院应用电子学研究所	8	3	1.0	1.0
6	杨仁俊	中国工程物理研究院应用电子学研究所	2	1	1.0	1.0