高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极

• 作者: 常本康 曾一平 朱占平 李敏 杜晓晴 王保强 王晓峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 积分光电灵敏度 多层结构 负电子亲和势光电阴极 扩散长度 表面逸出几率
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1692-1698
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.003

摘要

研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组采用了变掺杂的多层结构,从衬底开始Be的掺杂浓度依次为1×1019,7×1018,4×1018和1×1018cm-3.负电子亲和势光电阴极通过在高真空系统中交替通入Cs和O激活得到.在线光谱响应测试曲线表明,多层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度比单层Be掺杂结构光阴极的积分光电灵敏度至少提高了50%.两种结构的GaAs样品表现出不同的表面应力情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电子技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓峰	中国科学院半导体研究所	57	953	14.0	30.0
3	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
4	杜晓晴	南京理工大学电子工程与光电子技术学院	17	214	11.0	14.0
5	李敏	南京理工大学电子工程与光电子技术学院	18	251	8.0	15.0
6	朱占平	中国科学院半导体研究所	3	6	1.0	2.0
7	王保强	中国科学院半导体研究所	3	12	1.0	3.0