负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

• 作者: 乔建良 常本康 杜晓晴 田思 高频
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 负电子亲和势 GaN 激活 光电流
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5847-5851
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.113

摘要

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
3	杜晓晴	重庆大学光电工程学院	26	198	9.0	12.0
4	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
8	田思	南京理工大学电子工程与光电技术学院	16	99	6.0	9.0