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摘要:
We demonstrate InAs/InGaAsP/InP quantum dot (QD) lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition.The active region of the lasers consists of five layers of InAs QDs.Ridge waveguide lasers with 6 μm width have been fabricated by standard optical lithography and wet etching.Under continuous wave operation at room temperature,a low threshold current density of 447A/cm2 per QD layer is achieved for a QD laser with a cavity length of 2mm.Moreover,the lasing redshifts from 1.61 μm to 1.645μm as the cavity length increases from 1.5 mm to 4 mm.A high characteristic temperature of up to 88K is obtained in the temperature range between 10℃ and 40℃.
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文献信息
篇名 InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
来源期刊 中国物理快报(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 213-215
页数 3页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/0256-307X/30/6/068101
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期刊影响力
中国物理快报(英文版)
月刊
0256-307X
11-1959/O4
16开
北京中关村中国科学院物理研究所内
1984
eng
出版文献量(篇)
14318
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26201
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