基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究

• 作者: 张进成 朱樟明 杨林安 林志宇 陈浩然
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 共振隧穿二极管 GaN 陷阱中心 电离率
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 332-337
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.217301

摘要

文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象。通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程，计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响。结果表明， GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起。由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系，因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子，对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨林安	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	95	6.0	9.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	164	1318	18.0	26.0
3	张进成	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	65	5.0	7.0
4	陈浩然	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	林志宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0