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摘要:
ZnSe nanowires (NWs) with a band gap of 2.7eV have potential applications in the emission of blue radiation such as a laser.[1] At present,one of the limiting factors of ZnSe laser's working time of continuous operation is heat dissipation occurring during performance.This heat is partly generated at the metalZnSe (M-S) contacts due to the Schottky barrier.[2]The M-S nanocontacts which link the active region of the nanoelectronics to the external circuit plays an important role in the performance of the nanoelectronics based on the semiconductor NWs since the current transport mechanism in such M-S-M nanostructures is mainly dominated by the properties of the M-S nanocontacts.[3] Commonly,the presence of the Schottky barrier resulting from a field ramp and a potential step due to the band bending within ZnSe near the metal contact can cause high contact resistance and a voltage drop occurs when current passes through the Schottky barrier.
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文献信息
篇名 Elimination of the Schottky Barrier at an Au-ZnSe Nanowire Nanocontact via in Situ Joule Heating
来源期刊 中国物理快报(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 204-207
页数 4页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/0256-307X/30/1/017902
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期刊影响力
中国物理快报(英文版)
月刊
0256-307X
11-1959/O4
16开
北京中关村中国科学院物理研究所内
1984
eng
出版文献量(篇)
14318
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26201
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