高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器

• 作者: 刘国军 张剑家 曲轶 李辉 辛德胜
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 2517-2520
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132510.2517

摘要

设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200 μm、腔长800 μm的半导体激光器.两隧道结激光器在脉冲宽度100 ns,重复频率10 kHz,30 A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6 nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	94	6.0	9.0
2	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
3	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
4	辛德胜	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	83	4.0	9.0
5	张剑家	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	15	107	5.0	10.0