氦、氘对纯铁辐照缺陷的影响*

• 作者: 万发荣 刘传歆 大貫惣明 姜少宁 詹倩 龙毅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氦 氘 辐照损伤 位错环
• 年，卷（期）: 2013,（16）
• 页码范围: 166801-1-166801-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.166801

摘要

在核聚变堆的辐照环境中，核嬗变产物氢、氦对结构材料的抗辐照性能将产生很大的影响。本实验采用离子注入和电子辐照模拟研究了氦和氘对具有体心立方结构的纯铁的影响。采用离子加速器在室温分别对纯铁注入氦离子和氘离子，经500?C时效1 h后在高压电镜下进行电子辐照。结果表明：室温注氦和室温注氘的纯铁在500?C时效后分别形成间隙型位错环和空位型位错环。在电子辐照下，间隙型位错环吸收间隙原子而不断长大，而空位型位错环吸收间隙原子不断缩小。通过计算位错环的变化速率发现，空位型位错环比间隙型位错环吸收了更多的间隙原子，即室温注氘纯铁的位错偏压比室温注氦纯铁的偏压参量大，这意味着相同实验条件下空位型位错环对辐照肿胀的贡献大于间隙型位错环对辐照肿胀的贡献。利用氦-空位复合体和氘-空位复合体的结构，分析了注氦和注氘后在纯铁中形成不同类型位错环的原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万发荣	北京科技大学材料科学与工程学院	65	602	12.0	23.0
2	龙毅	北京科技大学材料科学与工程学院	67	442	11.0	17.0
3	詹倩	北京科技大学材料科学与工程学院	13	21	4.0	4.0
4	姜少宁	北京科技大学材料科学与工程学院	4	9	2.0	2.0