硅基转接板上传输线的电学特性

• 作者: 万里兮 周静 戴风伟 王惠娟
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基转接板 电阻率 传输线 插入损耗 差分信号线
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 5790-5795
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3021字
• 语种: 中文

摘要

对硅基转接板上单层RDL(redistribution layer)和多层RDL传输线的损耗特性进行了深入的分析和比较.研究了硅的电阻率、传输线几何尺寸(包括线宽,线高和介质厚度等)对传输特性的影响,并总结了硅基上单层RDL和多层RDL传输线的不同传输规律.另外,提出了一种优化的叠层结构和差分信号线结构,大大改善了硅基上互连结构的传输性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周静	中国科学院微电子研究所	92	1501	21.0	35.0
2	万里兮	中国科学院微电子研究所	22	115	5.0	10.0
3	王惠娟	中国科学院微电子研究所	3	1	1.0	1.0
4	戴风伟	中国科学院微电子研究所	3	2	1.0	1.0