平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano效应

• 作者: 王晓飞
• 来源期刊: 黑龙江科技信息
• 关键词: 量子点 Fano效应
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 页码范围: 142-142
• 页数: 1页
• 字数: 1127字
• 语种: 中文

摘要

研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值，当量子点1、2之间的耦合强度很小时，对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时，多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓飞	哈尔滨师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0